:: The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication ::, Vol.19 No.6 | (2019) pp.175~181
W-대역 MMIC 칩 국내 개발 및 송수신기 제작
Abstract
소형 레이더 센서에 적용할 목적으로 W-대역의 핵심부품인 MMIC 칩을 송신기 특성에 맞게 국내설계하고 0.1μ m GaAs pHEMT 공정으로 제작하여 이를 해외 구매한 MMIC 칩과 성능 비교하였으며, 국내개발 MMIC 중에서 저잡음 증폭기의 잡음지수, 스위치의 삽입손실 그리고 하향변환 혼합기 MMIC 칩의 이미지제어 성능은 상용칩 보다 우수한 특 성을 보임을 확인할 수 있었다. 국내개발 MMIC 칩을 W-대역의 도파관 저손실 전이구조 설계 및 임피던스 정합을 통해 송신부 및 수신부에 적용하여 제작 후 성능 검증하였으며, 제작한 송신부 출력은 26.9 dBm로 측정되어 분석 결과보다 우수한 결과를 보였고 수신부의 잡음지수는 9.17 dB로 분석 결과와 근사한 측정 결과를 보였다. 결과적으로 형 레이더 센서의 송수신기에 국내 개발 MMIC 칩을 적용하는 경우, 해외 구매 MMIC 칩 적용 시보다 성능이 향상될 것으로 기대 된다.
For the purpose of Application to the small radar sensor, the MMIC Chip, which is the core component of the W-band, was designed in Korea according to the characteristics of the transceiver and manufactured by 0.1μm GaAs pHEMT process, and compared with the MMIC chip purchased overseas. The noise figure of low noise amplifier, insertion loss of the switch and image rejection performance of the down-converted mixer MMIC chip showed better characteristics than those of commercial chips. The MMIC chip developed in domestic was applied to the transmitter and receiver through W-band waveguide low loss transition structure design and impedance matching to verify the performance after the fabrication is 9.17 dB, which is close to the analysis result. As a result, it is judged that the transceiver can be applied to the small radar sensor better than the MMIC chip purchased overseas.
GaAs pHEMT,MMIC,Seeker,W-band,W/G Transition loss
